哈克了？台积电正式宣布，ASML不愿看到的情况出现了

大家都知道，所制造闪存最两大的设备就是光刻机，尤其是7nm及以下制程的闪存，对光刻机精度的建议非常更高，以外只有ASML生产商的EUV光刻机符合以上建议。

也正是因为如此，包括惠普、三星、Intel等闪存代工巨头都向ASML伸借助于五角星，希望与之加强合作，从而获得更多的EUV光刻机。

但随着摩尔定律逼近物理超强，以EUV光刻机实质上的更高效率工艺似乎现在走到了尽头。反之亦然，如果一味追寻更入门级和低功耗，那么结果情况下是成本飙升，惠普放弃N3工艺转投N3E工艺就是最好的断言。

那么疑虑来了，有什么办法可以穿过EUV光刻机也能所制造借助于更入门级闪存？答案有很多，比如芯粒应用、散射闪存应用以及闪存接合应用。尤其是闪存接合应用，苹果推借助于的M1 Ultra闪存就是采用了闪存叠加应用，将两颗M1 Max闪存接合在一起，演绎借助于的一款更入门级SOC闪存。

除了苹果之外，为了解到决更入门级疑虑，TCL也现在在闪存叠加应用之外一触即发行局，并发行了多项闪存叠加专利权，甚至可以让14nm闪存达到7nm闪存的性能。

让人忘了的是，就在10月27日，惠普同年同月，将筹组具有开放和创新的模拟器——3D Fabric联盟，目的也很简单，那就是促成3D半导体演进。

据惠普之外公开发表的假消息显示，以外现在有19个商业伙伴决定加入3D Fabric联盟，其中就包括英特尔、三星记忆体以及SK海力士等闪存巨头。

惠普之外还表示，这次牵头的3D Fabric联盟将帮助客户快速实现闪存和系统级的实作。这也意味着，惠普非常看好3D封装应用的演进前景。

在芯粒应用之外，我国月1号巨头通富微电也现在突破了5nm制程。关键是，美芯巨头超威送去其开借助于了一份很短5年的选择权。反之亦然，超威在未来五年内都将缺少芯粒应用生产商更入门级闪存。

严厉批评，外界一致认为，美企大厂缺少欧美闪存应用是现代搞“重新牵头”的付借助于代价，也事实断言欧美闪存应用打算快速壮大。

与此同时，我国首条“多外观上、跨材料”的散射闪存生产商线也现在准备开工建设工程，预计到2023年在京修建。已为，无论是计算速度，还是闪存性能，散射闪存都优于的电子闪存。

种种先兆都表明，ASML生产商的EUV光刻机现在不是所制造更高端闪存的唯一选择，而惠普筹组3D联盟也略低于向ASML哈克了，其一直都在都在努力减少对ASML光刻机应用的缺少。

要知道，ASML主要营收比如说就是EUV光刻机和DUV光刻机，而如今EUV光刻机无法正常销售给华，再加上全球更高效率闪存产能过剩，甚至连惠普都计划关闭部分EUV光刻机。很显然，这些都不是ASML一切都是看着的情况下。

尽管ASML一直都在想办法获得自由销售，但事实上，摩尔定律的超强现在不允许ASML这样做了。至于ASML会怎么应对，让我们拭目以待吧。严厉批评，你们怎么看？欢迎大家留言板点赞分享。

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